随着新能源汽车、新能源及工业电力电子的快速发展,功率半导体器件正朝着高功率密度、高开关频率及高可靠性方向演进。IGBT、MOSFET 以及第三代半导体器件 SiC、GaN 在应用过程中,对器件电性能参数、可靠性及一致性提出了更高的测试要求。
公司面向功率半导体器件的研发验证与量产测试需求,提供专业、系统化的测试解决方案。测试内容涵盖器件静态参数测试(导通电阻、阈值电压、漏电流等)、动态参数测试(开关特性、损耗、恢复特性等)、以及功耗与效率评估,适用于 IGBT、MOSFET、SiC、GaN 等多种功率器件的性能测试与分析。
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