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半导体测试仪器
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雪崩能量测试仪
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TH530-25100A 半导体器件雪崩能量测试仪
■ 单通道和双通道 N/P或组合器件测试 (MOSFET、IGBT以及二极管）
■ 可测试高达2500V雪崩电压、200A峰值电流等级设备
■ 支持单脉冲雪崩测试（EAS)、重复雪崩能量测试(EAR）、 重复脉冲至失效测试(RPF)
■ 高速校准DAC可提升测试精度
■ 用户可调节的电源电压(10V至150V)稳定可靠
■ 漏极、源极接触检查电路可检测20Ω以下的接触电阻，提 供报错提示(LED)
■ 可设栅极驱动电压(最大电压差:30V，最大电压值:28V)适 应不同被测件所需
■ 可在雪崩前、雪崩后进行可调值的泄漏测试、以确定被测 件当前状态
■ 高速固态开关、带故障检测功能
■ 高精度的电流和电压波形捕捉以及雪崩持续时间捕捉
■ 7寸24位色TF LCD电容式触摸屏，中英文可选操作界面， 用于单机操作、输入测试规格以及提供测试数据显示。
■ 提供指令用于用户将屏幕信息存储于U盘
■ 仪器有开机自检和在线自检功能、为用户排查仪器内部故 障问题
■ 配备简单自动校准程序，用户可现场进行校准
■ 配备多种接口:用于远程测试控制的GPIB接口、前后面板各配备一个的高速串行接口、支持高速传输数据的LAN 口。 LAN口不仅可用于远程测试控制,在用户需要观测即时 测试波形时，可使用 LAN口搭配上位机程序查看每一一次 的波形数据
■ 可与TH530-01 可编程电感负载箱(0.01 至159.9mH)或外部电感器配合使用
■ 可外接示波器触发器输出，同步可视化雪崩测试过程，用 于准确测量雪崩时间
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TH530-25100B 半导体器件雪崩能量测试仪
■ 单通道和双通道 N/P或组合器件测试 (MOSFET、IGBT以及二极管）
■ 可测试高达2500V雪崩电压、200A峰值电流等级设备
■ 支持单脉冲雪崩测试（EAS)、重复雪崩能量测试(EAR）、 重复脉冲至失效测试(RPF)
■ 高速校准DAC可提升测试精度
■ 用户可调节的电源电压(10V至150V)稳定可靠
■ 漏极、源极接触检查电路可检测20Ω以下的接触电阻，提 供报错提示(LED)
■ 可设栅极驱动电压(最大电压差:30V，最大电压值:28V)适 应不同被测件所需
■ 可在雪崩前、雪崩后进行可调值的泄漏测试、以确定被测 件当前状态
■ 高速固态开关、带故障检测功能
■ 高精度的电流和电压波形捕捉以及雪崩持续时间捕捉
■ 7寸24位色TF LCD电容式触摸屏，中英文可选操作界面， 用于单机操作、输入测试规格以及提供测试数据显示。
■ 提供指令用于用户将屏幕信息存储于U盘
■ 仪器有开机自检和在线自检功能、为用户排查仪器内部故 障问题
■ 配备简单自动校准程序，用户可现场进行校准
■ 配备多种接口:用于远程测试控制的GPIB接口、前后面板各配备一个的高速串行接口、支持高速传输数据的LAN 口。 LAN口不仅可用于远程测试控制,在用户需要观测即时 测试波形时，可使用 LAN口搭配上位机程序查看每一一次 的波形数据
■ 可与TH530-01 可编程电感负载箱(0.01 至159.9mH)或外部电感器配合使用
■ 可外接示波器触发器输出，同步可视化雪崩测试过程，用 于准确测量雪崩时间
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TH530-25200A 半导体器件雪崩能量测试仪
■ 单通道和双通道 N/P或组合器件测试 (MOSFET、IGBT以及二极管）
■ 可测试高达2500V雪崩电压、200A峰值电流等级设备
■ 支持单脉冲雪崩测试（EAS)、重复雪崩能量测试(EAR）、 重复脉冲至失效测试(RPF)
■ 高速校准DAC可提升测试精度
■ 用户可调节的电源电压(10V至150V)稳定可靠
■ 漏极、源极接触检查电路可检测20Ω以下的接触电阻，提 供报错提示(LED)
■ 可设栅极驱动电压(最大电压差:30V，最大电压值:28V)适 应不同被测件所需
■ 可在雪崩前、雪崩后进行可调值的泄漏测试、以确定被测 件当前状态
■ 高速固态开关、带故障检测功能
■ 高精度的电流和电压波形捕捉以及雪崩持续时间捕捉
■ 7寸24位色TF LCD电容式触摸屏，中英文可选操作界面， 用于单机操作、输入测试规格以及提供测试数据显示。
■ 提供指令用于用户将屏幕信息存储于U盘
■ 仪器有开机自检和在线自检功能、为用户排查仪器内部故 障问题
■ 配备简单自动校准程序，用户可现场进行校准
■ 配备多种接口:用于远程测试控制的GPIB接口、前后面板各配备一个的高速串行接口、支持高速传输数据的LAN 口。 LAN口不仅可用于远程测试控制,在用户需要观测即时 测试波形时，可使用 LAN口搭配上位机程序查看每一一次 的波形数据
■ 可与TH530-01 可编程电感负载箱(0.01 至159.9mH)或外部电感器配合使用
■ 可外接示波器触发器输出，同步可视化雪崩测试过程，用 于准确测量雪崩时间
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TH530-25200B 半导体器件雪崩能量测试仪
■ 单通道和双通道 N/P或组合器件测试 (MOSFET、IGBT以及二极管）
■ 可测试高达2500V雪崩电压、200A峰值电流等级设备
■ 支持单脉冲雪崩测试（EAS)、重复雪崩能量测试(EAR）、 重复脉冲至失效测试(RPF)
■ 高速校准DAC可提升测试精度
■ 用户可调节的电源电压(10V至150V)稳定可靠
■ 漏极、源极接触检查电路可检测20Ω以下的接触电阻，提 供报错提示(LED)
■ 可设栅极驱动电压(最大电压差:30V，最大电压值:28V)适 应不同被测件所需
■ 可在雪崩前、雪崩后进行可调值的泄漏测试、以确定被测 件当前状态
■ 高速固态开关、带故障检测功能
■ 高精度的电流和电压波形捕捉以及雪崩持续时间捕捉
■ 7寸24位色TF LCD电容式触摸屏，中英文可选操作界面， 用于单机操作、输入测试规格以及提供测试数据显示。
■ 提供指令用于用户将屏幕信息存储于U盘
■ 仪器有开机自检和在线自检功能、为用户排查仪器内部故 障问题
■ 配备简单自动校准程序，用户可现场进行校准
■ 配备多种接口:用于远程测试控制的GPIB接口、前后面板各配备一个的高速串行接口、支持高速传输数据的LAN 口。 LAN口不仅可用于远程测试控制,在用户需要观测即时 测试波形时，可使用 LAN口搭配上位机程序查看每一一次 的波形数据
■ 可与TH530-01 可编程电感负载箱(0.01 至159.9mH)或外部电感器配合使用
■ 可外接示波器触发器输出，同步可视化雪崩测试过程，用 于准确测量雪崩时间
