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半导体器件
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暗电流≠暗区：同惠创新方案破解APD器件长期稳定性测试难题在光电探测领域，光电二极管作为核心器件，通过光伏效应将光信号转换为电信号，然而，传统光电二极管受限于光生载流子的固有数量，在微弱光信号探测场景中面临信噪比低、灵敏度不足等挑战。为突破这一瓶颈，雪崩光电二极管（APD）凭借独特的雪崩倍增效应（在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流，加大反向偏压会产生“雪崩”的现象），成为超灵敏光电探测的关键技术载体。多重角色✦ 光通信：在光纤网络中用于接收并监测光信号，尤其适用于超长跨距、低能耗传输场景；✦ 激光测距2025-06-26 10:49:04 -
以测量之名，向海而行—探索深海经济新方案研究背景随着陆地资源日趋枯竭与技术进步的双重驱动，深海经济（水深≥200米）正从科学探索迈向产业化爆发。多重角色✦ 矿产开发领域：深海低温、高压、缺氧的极端环境下，有着丰富的生物多样性，并蕴藏着大量矿产资源。✦ 生物医药领域：海洋生物体内含有许多独特的生物活性物质，这些物质为新药研发提供了广阔空间。✦ 能源利用领域：潮汐发电站的建设不仅可以提供清洁能源，还能够带动周边地区的养殖业、种植业、交通业以及旅游业的发展，形成多元化的经济效益。01客户情况某海洋项目正在开展深海探测器电子系统优化研究，当前阶段需对电2025-03-19 15:37:02 -
让机器人拥有"人类级触觉"：国产精密仪器如何助推智能制造进阶导语机器人的指尖轻轻捏起一颗草莓，13000个嵌入式传感器在0.6秒内完成了压力梯度、表皮温度与果肉弹性的三重测算——这不是科幻电影，而是仿生机器人电子皮肤的实战演示。厚度仅2.3毫米的柔性皮肤，通过脉冲神经网络模拟人类触觉神经的时空编码机制，首次让机器人获得了“触觉联想”能力。 一、触觉感知：工业自动化缺失的关键拼图传统工业机器人长期深陷"盲操作"困境，想象一下，工业机器人就像戴着厚棉手套的钢琴家——它们能完成基础的抓取动作，但当需要像人类手指那样感知丝绸的滑移、鸡蛋壳的微裂或者手机屏下0.01毫米2025-03-19 15:38:22 -
从“亮”到“长”：LED效率与寿命的双重突破研究背景在LED技术研究中，散热管理是提高效率与寿命的核心。LED低效率时产生大量热，若不及时散热，会升高温度，损害发光效率和寿命。因此，选用高热导性能材料作为散热片至关重要。氮化铝作为一种具备高导热性、优异的电绝缘性和稳定的LED材料，可以作为LED散热片使用，迅速传导和散发热量，从而保持LED的光效和延长其使用寿命。客户情况一家专业从事高热导率氮化铝陶瓷基板的材料供应商，现需要对氮化铝圆片，评估其性能表现。测试要求测试频率：100kHz在氮化铝圆片测试中，我们统一选择直径40mm、厚度1mm的样品，并2024-07-30 14:52:21 -
场效应管配对测试新解，TH199X系列“专家模式”，让问题曲线一目了然！研究背景 在半导体器件领域中，场效应管（FET）以其独特的导电特性在电路中发挥着不可或缺的作用，其核心在于利用电压来精准调控电流流动，包括栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain）。它通过改变栅极电压场控制电荷密度，进而调整电阻，实现对电流的精确控制。其中，阈值电压和跨导曲线是场效应管性能评估的两大关键参数。敲重点！！！阈值电压决定了场效应管开始导电的电压阈值，而跨导曲线则反映了场效应管在不同电压下的导电能力，对于电路的稳定性和效率至关重要。 客户情况 一家2024-07-30 10:12:05 -
同惠功率器件CV特性测试解决方案助力品质升级！为实现我国的‘碳达峰、碳中和’目标，电气化替代成为关键策略。通过功率半导体，我们构建了高效、可控的能源网络，降低能耗和碳排放。功率半导体在计算机、交通、消费电子和汽车电子等行业的应用也逐渐广泛。随着新能源的快速增长，新能源汽车、风电和光伏等领域对功率半导体的需求将大幅增加。半导体材料已经历经三个发展阶段：由此可见，第三代半导体在高压、高频、高速和低阻方面展现出了显著优势，其击穿电压在某些应用中甚至能够达到1200-1700V。这些特点为其带来了一系列新的特性：A：极低的内部电阻，与同类型硅器件相比，效率提2024-01-26 11:18:59 -
再超越：探索新型半导体芯片的无限潜力芯片作为工业的”粮食” ，一直是全球高科技产业的重要支柱。在科学界和产业界，大家一直在不断尝试利用各种二维材料，开发出兼具高性能和低功耗的新一代芯片。二维(2D)层状半导体，由于具备出色的栅极场穿透的原子厚度，可作为未来晶体管的通道材料。根据客户要求，我们需要在开发新材料时，不断地对样品进行参数测定，使之达到理论设计值。测试参数包含介电常数、C-V曲线、I-V曲线、静态电容。 本次我们将通过TH2838A阻抗分析仪、TH1992B精密源/测量电源定制上位机软件作为部分实验设备用于参数测定。 解决方案 材料2024-01-25 16:34:43 -
用TH1992快速测试半导体器件I/V特性研究背景：电子测量仪器作为基础科研工具，是国家科研自主可控的重要环节。在半导体器件、超导材料和光电器件等测试领域中，为了更全面地检测器件特性，提升整个测试系统的效率，往往对供给电源和测量同步性方面有更严苛的要求。TH1991/TH1992系列精密源/测量单元可输出高达±210V直流电压、±3A直流电流以及±10.5A脉冲电流、最小10fA/100nV的电源和测量分辨率，支持高速采样，可生成任意波形。TH1992为双通道版本，相较于单通道版本，TH1992支持双通道同步输出及测量，对于3端器件的测试更友好，2023-03-21 09:45:06 -
IGBT模块测试IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。具体方案测试对象：IGBT模块测试要求：Cies、Coes、Cres、Rg漏源电压＜200V测试频率1MHzAC测试电平100mV扫码功能数据自动存储手动上料，一键测试2022-12-09 16:13:40 -
变容二极管测试变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管"，是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其最大值为几十pF到几百pF，最大电容与最小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。具体方案测试要求：测试在不同频率下，加偏置电压来观察变容二极管的电容值变化。TH2840B 精密LCR数字电桥内置±40V的直流偏置电压，可直接为被测件添加2022-10-24 10:05:04 -
MOSFET器件CV特性测试分析寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。在高频情况下，不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管所产生的等效电容会增大，不能忽略。MOS管寄生电容是动态参数，直接影响到其开关性能，Ciss输入电容、Coss输出电容、Crss反向传输电容、Rg栅极串联等效电阻是功率半导体重要的寄生参数，在研发和制造过程中都需要进行测量。具体方案测试要求：Ciss输入电容 :将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容Coss输出电容：将栅源短接，用交流信号测得的漏极和2022-10-24 09:02:43 -
TH2828/TH2838在MOSFET测试中的应用生产线自动化测试，测试结果需自动上传至公司服务器具体方案测试对象：采用 SO-8 封装的MOSFET 器件；内装器件分一个 MOSFET（SINGLE）和两个 MOSFET（DUAL）两种 测试要求：Ø 输入电阻RgØ 输入电容CissØ 同时测试单个或两个MOSFET测试，并判断测试结果同时给出PASS/FAIL信号，数据上传至服务器2022-09-16 16:37:39
