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TH530-25100B 半导体器件雪崩能量测试仪
■ 单通道和双通道 N/P或组合器件测试 (MOSFET、IGBT以及二极管）
■ 可测试高达2500V雪崩电压、200A峰值电流等级设备
■ 支持单脉冲雪崩测试（EAS)、重复雪崩能量测试(EAR）、 重复脉冲至失效测试(RPF)
■ 高速校准DAC可提升测试精度
■ 用户可调节的电源电压(10V至150V)稳定可靠
■ 漏极、源极接触检查电路可检测20Ω以下的接触电阻，提 供报错提示(LED)
■ 可设栅极驱动电压(最大电压差:30V，最大电压值:28V)适 应不同被测件所需
■ 可在雪崩前、雪崩后进行可调值的泄漏测试、以确定被测 件当前状态
■ 高速固态开关、带故障检测功能
■ 高精度的电流和电压波形捕捉以及雪崩持续时间捕捉
■ 7寸24位色TF LCD电容式触摸屏，中英文可选操作界面， 用于单机操作、输入测试规格以及提供测试数据显示。
■ 提供指令用于用户将屏幕信息存储于U盘
■ 仪器有开机自检和在线自检功能、为用户排查仪器内部故 障问题
■ 配备简单自动校准程序，用户可现场进行校准
■ 配备多种接口:用于远程测试控制的GPIB接口、前后面板各配备一个的高速串行接口、支持高速传输数据的LAN 口。 LAN口不仅可用于远程测试控制,在用户需要观测即时 测试波形时，可使用 LAN口搭配上位机程序查看每一一次 的波形数据
■ 可与TH530-01 可编程电感负载箱(0.01 至159.9mH)或外部电感器配合使用
■ 可外接示波器触发器输出，同步可视化雪崩测试过程，用 于准确测量雪崩时间
TH530系列雪崩测试仪是同惠电子针对于半导体器件UIS （EAS）、EAR参数测量问题的解决方案。 主要用于测量MOSFET、IGBT、Diode和双极性器件 （带钳位）的雪崩击穿特性（电压、能量等）。通过给被测器件施加可控制的感性能量，判断出被测器件是否能正常吸收和承受电感释放的能量。经过雪崩测试的器件，就可安全地用于有反向电动势的感性负载上。
■ 功率半导体的研发与制造 评估半导体器件的雪崩耐量，确保其能承受电路中感性负 载关断时产生的高压尖峰，保证出厂质量的可靠性。例 如：IGBT、MOSFET、功率二极管。
■ 电源设备设计与验证 验证设备在输出短路等异常情况下，功率器件是否能承受 因初级电感和大电流引起的雪崩能量而不损坏。例如：开 关电源、逆变器等设备的功率器件。
■ 新能源汽车与工业驱动 确保器件能应对电机启动、堵转等特殊工况下感性负载产 生冲击电流和电压尖峰，确保系统安全。例如：电机控制 器（如变频器、伺服驱动器）中功率开关器件。
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