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近日，第十届全国大学生集成电路创新大赛（简称"集创赛"）启动仪式在江苏无锡顺利举行。作为教育部官方认证的顶级学科竞赛，集创赛由工业和信息化部人才交流中心直接主办，其赛事规模覆盖全国所有省份及港澳台地区，400+高校，每年吸引超万名学子同台竞技，已成为衡量高校电子信息技术创新能力的黄金标杆。
同惠电子作为本届比赛出题企业，受邀参加启动仪式。我们怀着诚挚之心，面向全国高等院校中半导体物理、器件物理、集成电路设计、微电子科学与工程等相关专业的师生发出邀约，诚邀大家参加本次赛事。
一、赛题背景
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代集成电路的核心基础器件，是支撑微电子产业从微米级到纳米级技术迭代的核心载体，其电学特性尤其是电容-电压（CV）特性，直接决定了芯片的开关速度、功耗、可靠性等关键性能指标。据行业统计，全球每年基于MOSFET架构的半导体器件出货量超万亿颗，广泛应用于消费电子、新能源、工业控制、航天航空等关键领域，是半导体物理、器件物理、集成电路设计等学科理论体系的经典研究对象。
本年度“同惠电子企业命题”以“半导体MOSFET器件CV特性分析”为核心赛题方向，引导参赛选手将半导体器件物理、集成电路工艺、测量测试技术等专业知识融会贯通。在深度剖析MOSFET器件CV特性的物理机制、测试原理与分析方法的过程中，强化理论认知与工程实践的结合，锤炼精密测量、数据分析、问题溯源的核心能力，为投身半导体器件研发、测试与产业化应用筑牢坚实的理论与实践根基。
二、赛题解析
主办方向参赛者统一提供MOSFET封装器件、TH1992双通道源表与数字电桥。
A)参赛者在固定频率，漏源电压变化的情况下分别测量Ciss、Coss、Crss，并在上位机软件中绘制Ciss-Vds，Coss-Vds，Crss-Vds曲线。评委根据测量结果与器件Datasheet的一致性评分。
B)参赛者在1MHz的频率和固定的漏源电压的条件下测量Crss。由于测量回路中存在等效串联电感，Crss测量结果或为负数。参赛者需要分析造成测量不准确的机理，设计补偿算法。大赛评委根据参赛者的原理分析报告与补偿校正后的Crss测量准确度评审获奖名单。
三、全周期护航
1、大赛官网 univ.ciciec.com
2、大赛公众号
全国大学生集成电路创新创业大赛
大赛官网和公众号将作为大赛官方新闻、通知发布渠道，请参赛团队在参赛期间保持关注。
3、大赛报名网址
https://www.saikr.com/vse/univ/ciciec/10
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