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TH530-25100A 半导体器件雪崩能量测试仪
性能特点

 单通道和双通道 N/P或组合器件测试   (MOSFET、IGBT以及二极管) 

 可测试高达2500V雪崩电压、200A峰值电流等级设备 

 支持单脉冲雪崩测试(EAS)、重复雪崩能量测试(EAR)、 重复脉冲至失效测试(RPF) 

 高速校准DAC可提升测试精度 

 用户可调节的电源电压(10V至150V)稳定可靠 

 漏极、源极接触检查电路可检测20Ω以下的接触电阻,提 供报错提示(LED) 

 可设栅极驱动电压(最大电压差:30V,最大电压值:28V)适 应不同被测件所需 

 可在雪崩前、雪崩后进行可调值的泄漏测试、以确定被测 件当前状态 

 高速固态开关、带故障检测功能 

 高精度的电流和电压波形捕捉以及雪崩持续时间捕捉 

  7寸24位色TF LCD电容式触摸屏,中英文可选操作界面, 用于单机操作、输入测试规格以及提供测试数据显示。 

 提供指令用于用户将屏幕信息存储于U盘 

 仪器有开机自检和在线自检功能、为用户排查仪器内部故 障问题 

 配备简单自动校准程序,用户可现场进行校准 

 配备多种接口:用于远程测试控制的GPIB接口、前后面板各配备一个的高速串行接口、支持高速传输数据的LAN 口。 LAN口不仅可用于远程测试控制,在用户需要观测即时 测试波形时,可使用 LAN口搭配上位机程序查看每一一次 的波形数据

 可与TH530-01 可编程电感负载箱(0.01 至159.9mH)或外部电感器配合使用 

 可外接示波器触发器输出,同步可视化雪崩测试过程,用 于准确测量雪崩时间

简介

微弱信号检测仪器 TH530系列雪崩测试仪是同惠电子针对于半导体器件UIS (EAS)、EAR参数测量问题的解决方案。 主要用于测量MOSFET、IGBT、Diode和双极性器件 (带钳位)的雪崩击穿特性(电压、能量等)。通过给被测器件施加可控制的感性能量,判断出被测器件是否能正常吸收和承受电感释放的能量。经过雪崩测试的器件,就可安全地用于有反向电动势的感性负载上。

应用

 功率半导体的研发与制造 评估半导体器件的雪崩耐量,确保其能承受电路中感性负 载关断时产生的高压尖峰,保证出厂质量的可靠性。例 如:IGBT、MOSFET、功率二极管。 

 电源设备设计与验证 验证设备在输出短路等异常情况下,功率器件是否能承受 因初级电感和大电流引起的雪崩能量而不损坏。例如:开 关电源、逆变器等设备的功率器件。 

 新能源汽车与工业驱动 确保器件能应对电机启动、堵转等特殊工况下感性负载产 生冲击电流和电压尖峰,确保系统安全。例如:电机控制 器(如变频器、伺服驱动器)中功率开关器件。

技术参数
附件
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